GaAs efnisgreining
1. Rannsókn á efnasamböndum hálfleiðara efni má rekja aftur til byrjun síðustu aldar. Eftirtaldar upplýsingar um efni sem rannsakað eru af Thiel et al. árið 1910. Árið 1952 lærði þýska vísindamaðurinn Welker fyrst III-V efnasambönd sem nýjan hálfleiðara fjölskyldu og benti á að þeir hafi betri eiginleika sem ekki eru í eigu frumefnis hálfleiðara efni eins og Ge og Si. Undanfarin fimmtíu ár hefur rannsóknir á efnasamböndum hálfleiðara efni náð góðum árangri og það hefur einnig verið mikið notaður á sviði örverufræði og ljósleiðara.
Gallíumarseníð (GaAs) efni eru nú ríkustu, mikið notaðir, og því mikilvægustu efnasamböndin hálfleiðara efni, og mikilvægustu hálfleiðara efni eftir sílikon. Vegna framúrskarandi frammistöðu og uppbyggingu hljómsveitarinnar, hafa GaAs efni mikla möguleika í örbylgjutækjum og ljósabúnaði. Á þessari stundu er háþróaður framleiðslutækni gallíumarseníðefna enn í höndum stærstu alþjóðlegra fyrirtækja eins og Japan, Þýskalands og Bandaríkjanna. Í samanburði við erlenda fyrirtæki hafa innlend fyrirtæki enn stórt bil í framleiðslu tækni af gallíumarseníðefnum.
2. Eiginleikar og notkun gallíumarseníðefna
Gallíumarseníð er dæmigerður beinskiptastyrkur orkusviðs. Lágmarksgildi leiðsluljómsins og hámarksgildi valence hljómsveitarinnar eru í miðju Brillouin svæðisins, það er k = 0, sem gerir það að mikilli rafskautseiginleika. Frábært efni til að undirbúa photovoltaic tæki.
Við 300K er bannað bandbreidd GaAs efnisins 1,42V, sem er miklu stærra en 0,67V af germaníum og 1,12V af sílikoni. Þess vegna geta gallíumarseníð tæki unnið við hærra hitastig og þolir stóra afl.
Í samanburði við hefðbundnar sílikonar hálfleiðurum, hafa efni úr gallíumarseníði (GaAs) mikla rafeinda hreyfanleika, stórt bannað bandbreidd, bein hljómsveitaplata, lítill orkunotkun og rafeinda hreyfanleiki er um 5,7 sinnum meiri en kísil efni. Þess vegna er það mikið notað í framleiðslu á IC tæki í hátíðni og þráðlausum samskiptum. Hátíðni, háhraða, geislavirkt hárhitatæki sem framleidd eru eru almennt notaðar á sviði þráðlausrar samskipta, fjarskipta fjarskiptabúnaðar, farsímatækni, GPS alþjóðlegt flakk og þess háttar. Til viðbótar við slysni umsókn í IC vörur, getur GaAs efni einnig bætt við öðrum þáttum til að breyta hljómsveit uppbyggingu þeirra til að framleiða myndvirkni áhrif, að gera hálfleiðara ljósleiðara tæki og að gera sól frumur úr galli arseníð.